固态放电管_常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

Type	IPP(A) 10/1000μS	IPP(A) 8/20μS	IFSM(A)	IRM@VVR(μA)	VRM(V)	VBR(V)	IBR(mA)	VBO(V) Max	IBO(mA) Max	IH(mA) Min	Case Style
SMTPA180	50	100	30	2	162	180	1	240	800	150	DO-214AA
SMTPA200	50	100	30	2	180	200	1	267	800	150	DO-214AA
SMTPA220	50	100	30	2	198	220	1	293	800	150	DO-214AA
SMTPA240	50	100	30	2	216	240	1	320	800	150	DO-214AA
TPA180	50	100	30	2	162	180	1	240	800	150	DO-15
TPA200	50	100	30	2	180	200	1	267	800	150	DO-15
TPA220	50	100	30	2	198	220	1	293	800	150	DO-15
TPA240	50	100	30	2	216	240	1	320	800	150	DO-15

　　应用领域：

　　广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天，固态放电管已成为世界通讯设备的器件。

　　选用方法：

　　选用半导体放电管应注意以下几点：

　　1、瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。

　　2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的瞬间峰值电压。

　　3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

　　4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的工作电压。如在POTS应用中，振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，DC电压(150V)和信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。

　　5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。

　　设备展示：

　　公司简介：

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是的二极管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力，先进的制造设备、完善的检测手段及全面的售后服务，通过了 ISO9001:2000质量体系管理、SGS 环保检测及CTI，从而为客户提供优质的产品和高效的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标，产品广泛应用于军工及民用领域，为国内多家彩电、节能灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务，并远销欧美及东南亚地区，在客户中取得了良好的信誉。

　　公司目标：
　　为客户提供性价比的二极管全系列产品是全体员工的神圣使命
　　公司愿景：
　　将公司打造成为国际一流的半导体分立器件供应商
　　公司方针：
　　以人为本顾客至上

常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

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