常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

　　产品信息：
　　类型：其他IC

     品牌：GOOD-ARK

      型号：PT8205

　　主要参数
　　1.开启电压VT
　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压；
　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
　　2. 直流输入电阻RGS
　　·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比
　　·这一特性有时以流过栅*的栅流表示
　　·MOS管的RGS可以很容易地*过1010Ω。
　　3. 漏源击穿电压BVDS
　　·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS 　　·ID剧增的原因有下列两个方面：
　　（1）漏*附近耗尽层的雪崩击穿
　　（2）漏源*间的穿通击穿
　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为*，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

　　定义：
　　mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。