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常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司
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产品信息
MBR30150
MBR30150具备过电压保护回路，可靠性高。
MBR30150参数：
重复性反向电压:150V
平均正向整流电流@ = 55℃:30A
工作温度范围:-40~+175℃
储存温度范围:-40~+175℃
材料：锗
封装：to-3p
MBR30150特性：
◆半桥式整流，普通的阴极结构。
◆多层金属 - 硅势结构。
◆功耗低，高效率。
◆漂亮的温度特性。
◆ROHS产品。
公司目标：
为客户提供性价比的二极管全系列产品是全体员工的神圣使命
公司愿景：
将公司打造成为国际一流的半导体分立器件供应商
公司方针：
以人为本 顾客至上